天域半导体(02658.HK)拟携手青禾晶元共同开展键合材料(包括键合碳化硅(SiC)等工艺开发及技术迭代-今亮点

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格隆汇1月16日丨天域半导体(02658.HK)公告，于2026年1月16日，公司及青禾晶元半导体科技(集团)有限责任公司("青禾晶元")订立战略合作协议，据此，协议订约方(各自为"订约一方"，统称"订约方")同意建立战略合作，凭藉本公司在碳化硅材料领域的优势及青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力，共同开展键合材料(包括键合碳化硅(SiC)、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上压电基板(POI)及超大尺寸(12英寸及以上)SiC复合散热基板)的工艺开发及技术迭代。

合作内容1.工艺开发：公司应就键合SiC、SOI、POI、12英寸SiC复合散热基板及中介层等键合材料开展工艺开发及量产导入。

2.设备与技术支持：青禾晶元应向公司提供离子注入、晶圆级键合、精密抛光、晶体修复及剥离等方面的设备及相关技术支持，主要包括：.为单晶—多晶SiC键合衬底(8英寸)提供设备定制、优化及工艺调试；.为单晶—单晶SiC键合衬底(8英寸)、SOI(8英寸及12英寸)及SionSiC(12英寸)键合衬底提供整线设备选型、设备定制、工艺优化及量产支持；及.提供适用于金刚石、氧化镓(Ga2O3)、氮化镓(GaN)、铌酸锂、钽酸锂等材料的键合设备。

3.设备改进及技术支持：公司应从工艺开发、批量制造的角度给予设备改进及升级迭代的指导。青禾晶元应配合公司量产需求，加大研发投入，提升设备能力。同时，青禾晶元在公司使用过程中遇到的技术问题，应积极配合应对。

4.知识产权：在技术开发过程中，订约一方各自独立研发的知识产权归各自独立所有。

5.优先合作：于合作期间，在同等条件下，公司应优先与青禾晶元开展整线项目合作，并优先采购青禾晶元的相关设备。然而，若青禾晶元提供的设备无法满足公司的技术指标、量产良率要求或货期需求，公司有权向第三方采购，不视为违约。

董事会认为，订约方将利用彼等各自的竞争优势，建立互利互惠的合作伙伴关系。通过结合公司在SiC外延片领域的行业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识，合作旨在促进先进键合材料解决方案的开发并优化生产工艺。预期此合作将提升集团在大尺寸复合基板方面的技术能力，确保设备稳定性，并进一步巩固集团的市场地位。

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