金刚石半导体研发实现突破性进展 未来有望“走出实验室”

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被称为“终极功率半导体”、使用金刚石的电力控制用半导体的开发取得进展。日本佐贺大学教授嘉数教授与精密零部件制造商日本Orbray合作开发出了用金刚石制成的功率半导体，并以1平方厘米875兆瓦的电力运行。

在金刚石半导体中，输出功率值为全球最高，在所有半导体中也仅次于氮化镓产品的约2090兆瓦。与作为新一代功率半导体的碳化硅（SiC）产品和氮化镓（GaN）产品相比，金刚石半导体耐高电压等性能出色，电力损耗被认为可减少到硅制产品的五万分之一。金刚石功率半导体的耐热性和抗辐射性也很强，到2050年前后，有望成为人造卫星等所必需的构件。

据财联社主题库显示，相关上市公司中：

四方达控股子公司天璇半导体主要业务包括MPCVD设备、CVD金刚石等产品研制。

国机精工第三代半导体功率器件用超高导热金刚石材料通过了客户应用测试。

标签： 有望成为 抗辐射性 电力损耗